LCoS顯示屏通常分為兩大類：透射型和反射型。雖然它們幾何光學原理上截然迥異，但都能有選擇地調制外光源光線而形成圖像。透射型首先在晶片上完成驅動控制電路的設計制作，再用剝離（lift-off）技術[3]或各向異性刻蝕（anisotropic etching）技術[4]分離出管芯，粘附到透明襯底上制成微顯芯片。如此巧妙設計一方面是利用單晶硅的優質電學性能，另一方面則是利用成熟的IC設計制造技術。反射型則是直接在晶片上制作驅動電路和顯示矩陣電路，然后以此為基底封裝液晶材料形成類似傳統LCD（Liquid Crystal Display）結構的平板顯示屏。所以常規IP技術可直接用于設計制作硅基液晶顯示屏。

圖2是筆者運用Cadence EDA工具，采用0.6μm的n-阱四層金屬CMOS工藝規則設計的反射式LCoS（VGA分辨率，時序彩色化）電路結構圖。其電路可劃分為行掃描驅動器，列數據輸入驅動器（包含DAC電路）和顯示驅動矩陣（有源NMOS矩陣）[5]。

在列數據輸入驅動器中，串行輸入的多位數字視頻信號通過移位寄存器的作用，依次存入數字鎖存器，然后在同一讀出信號作用下，配合行掃描信號，同時輸入到各列的數/模轉換器（DAC），之后輸出模擬電壓信號作用到像素，因此一幀圖像將被一次一行地傳送到所有列。

在行掃描驅動器中，行掃描信號通過另一組移位寄存器作用，產生與數字視頻信號同步的逐行掃描信號。

有源顯示驅動矩陣的每一個像給包括像素開關（NMOS晶體管）、存儲電容和在它們上面的鋁反射電極。NMOS晶體管控制列數據線對液晶像素的充電，而存儲電容中的充電電荷建立了相對于控制電極的電壓差。由于液晶材料本身也有電容，并沿分子的取向充電，當一定量的電荷積聚在像素上時，液晶將按所施加的電場取向。液晶分子的再取向，導致液晶電容的變化，這就改變了加在像素的電壓。為了解決這個問題，需要用較大的存儲電容。

像素的截面如圖3所示，采用了四層金屬，分別用于掃描線、數據線、避光層和鋁反射鏡面電極。掃描線控制NMOS晶體管（像素開關）的柵極，當NMOS導通時數據線上的信號驅動到像素上。晶體管漏極，存儲電容和反射鏡面電極是電導通的。硅背板頂部制作1μm厚的液晶襯墊，用以確定液晶盒間隙。

整個硅背板都是在常規IC芯片生產線上完成的。在加工好的LCoS顯示芯片上，覆蓋取向層，涂上密封膠，粘合附著ITO電極的玻璃蓋板，最后向這個液晶盒灌注液晶材料就形成了LCoS顯示器。盡管LCoS顯示芯片的面積比較大，但絕大部分是像素陣列，晶體管密度較低，故可得到高的成品率。采用現代IC制造技術生產LCoS顯示器可謂駕輕就熟，也是制造高分辨率LCD顯示器的一條降低成本途徑。