3月26日，在SEMICON China 2025大會(huì)上，北方華創(chuàng)正式宣布進(jìn)軍離子注入設(shè)備市場，并發(fā)布首款離子注入機(jī)Sirius MC 313。此舉標(biāo)志著公司在半導(dǎo)體核心裝備的戰(zhàn)略布局上邁出了重要一步。

    在芯片制造流程里，除了備受關(guān)注的光刻、刻蝕、薄膜沉積等環(huán)節(jié)，離子注入設(shè)備同樣占據(jù)著極為關(guān)鍵的地位。離子注入設(shè)備能夠以極高的精度和效率，將特定元素的帶電離子注入半導(dǎo)體材料，從而精準(zhǔn)改變材料的電性能，為芯片制造提供不可或缺的技術(shù)支撐。其工作原理是先通過離子源產(chǎn)生所需離子，在電場作用下加速至預(yù)定能量，再精確注入半導(dǎo)體材料，實(shí)現(xiàn)原子的替換或添加，進(jìn)而調(diào)控材料性能。

    據(jù)國際半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì)（SEMI）數(shù)據(jù)，2024 年全球離子注入設(shè)備市場規(guī)模達(dá) 276 億元，至 2030 年有望攀升至 307 億元。北方華創(chuàng)此次進(jìn)軍離子注入裝備領(lǐng)域，將撬動(dòng)國內(nèi) 160 億元的市場空間，有力推動(dòng)中國半導(dǎo)體裝備在高端市場實(shí)現(xiàn)進(jìn)階發(fā)展。

    憑借二十余年在半導(dǎo)體設(shè)備研發(fā)領(lǐng)域的深耕，北方華創(chuàng)在等離子體控制、電磁場控制、射頻技術(shù)、嵌入式開發(fā)、算法及仿真等關(guān)鍵技術(shù)領(lǐng)域積累了深厚的技術(shù)積淀。公司成功構(gòu)建了涵蓋刻蝕、薄膜沉積、爐管、清洗等四大類、三百余款裝備的全面技術(shù)平臺(tái)。與此同時(shí)，公司持續(xù)布局新技術(shù)領(lǐng)域，在離子注入設(shè)備的束流控制、調(diào)束算法、劑量精準(zhǔn)控制等關(guān)鍵技術(shù)方面取得多項(xiàng)突破，自主開發(fā)出具備能量精度高、劑量均勻性好、注入角度控制精度高等特性的高端離子注入設(shè)備。

    展望未來，北方華創(chuàng)將以實(shí)現(xiàn)離子注入設(shè)備全品類布局為目標(biāo)，推動(dòng)離子注入設(shè)備全面覆蓋邏輯、存儲(chǔ)、特色工藝及化合物半導(dǎo)體等領(lǐng)域。北方華創(chuàng)將持續(xù)加大研發(fā)投入，為客戶提供高性能、高可靠性的離子注入解決方案，為國內(nèi)半導(dǎo)體裝備產(chǎn)業(yè)注入新活力，推動(dòng)產(chǎn)業(yè)技術(shù)進(jìn)步和發(fā)展，助力中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)在全球競爭格局中實(shí)現(xiàn)更大跨越。