8月23日，中微半導體設備（上海）股份有限公司發(fā)布2024年半年度報告。2024年上半年度公司營業(yè)收入為34.48億元，同比增長36.46%。歸母凈利潤為5.17億元，較上年同期下降約4.86億元，同比減少約48.48%；扣非凈利潤約4.83億元，較上年同期減少0.36億元。

主要會計數(shù)據(jù)和財務指標

    2024年上半年度公司營業(yè)收入為34.48億元，同比增長36.46%。公司的等離子體刻蝕設備在國內外持續(xù)獲得更多客戶的認可，針對先進邏輯和存儲器件制造中關鍵刻蝕工藝的高端產品新增付運量顯著提升，CCP和ICP刻蝕設備的銷售增長和在國內主要客戶芯片生產線上市占率均大幅提升。本期刻蝕設備收入為26.98億元，較上年同期增長約56.68%，刻蝕設備占營業(yè)收入的比重由上年同期的68.16%提升至本期的78.26%。公司的另一重要產品MOCVD設備本期收入1.52億元，較上年同期減少約49.04%，主要因為公司在藍綠光LED生產線和Mini-LED產業(yè)化中保持絕對領先的地位，該終端市場近兩年處于下降趨勢。公司緊跟MOCVD市場發(fā)展機遇，積極布局用于碳化硅和氮化鉀基功率器件應用的市場，并在Micro-LED和其他顯示領域的專用MOCVD設備開發(fā)上取得良好進展，已付運和將付運幾種MOCVD新產品進入市場。此外，本期公司新產品LPCVD設備實現(xiàn)首臺銷售，收入0.28億元。

    2024年上半年公司新增訂單47.0億元，同比增長約40.3%。其中刻蝕設備新增訂單39.4億元，同比增速約50.7%；LPCVD上半年新增訂單1.68億元，新產品開始啟動放量。

    本期歸屬于上市公司股東的凈利潤為5.17億元，較上年同期下降約4.86億元，同比減少約48.48%，主要系2023年公司出售了持有的部分拓荊科技股份有限公司股票，產生稅后凈收益約4.06億元，而2024年公司并無該項股權處置收益；以及公司上半年主要由于研發(fā)總投入增長下扣非后歸母凈利潤較上年同期減少0.36億元。

    2024年上半年歸屬于母公司所有者的扣除非經常性損益的凈利潤約4.83億元，較上年同期減少0.36億元（約6.88%），主要由于公司顯著加大研發(fā)力度，以盡快補短板，實現(xiàn)趕超。公司目前在研項目涵蓋六類設備，20多個新設備的開發(fā)，2024年上半年公司研發(fā)投入9.70億元，較上年同期的4.60億元增加約5.10億元，同比大幅增長110.84%。

    等離子體刻蝕設備研發(fā)方面，公司根據(jù)技術發(fā)展及客戶需求，大力投入先進芯片制造技術中關鍵刻蝕設備的研發(fā)和驗證，目前針對邏輯和存儲芯片制造中最關鍵刻蝕工藝的多款設備已經在客戶產線上展開驗證。公司針對超高深寬比刻蝕自主開發(fā)的具有大功率400kHz偏壓射頻的PrimoUD-RIE已經在生產線驗證出具有刻蝕≥60:1深寬比結構的量產能力。同時，公司積極布局超低溫刻蝕技術，在超低溫靜電吸盤和新型刻蝕氣體研究上投入大量資源，積極儲備更高深寬比結構（≥90:1）刻蝕的前衛(wèi)技術。多款ICP設備在先進邏輯芯片、先進DRAM和3D NAND產線驗證推進順利并陸續(xù)取得客戶批量訂單。晶圓邊緣Bevel刻蝕設備完成開發(fā)，即將進入客戶驗證，公司的TSV硅通孔刻蝕設備也越來越多地應用在先進封裝和MEMS器件生產。

    薄膜沉積設備研發(fā)方面，公司目前已有多款新型設備產品進入市場，其中部分設備已獲得重復性訂單，其他多個關鍵薄膜沉積設備研發(fā)項目正在順利推進。公司鎢系列薄膜沉積產品可覆蓋存儲器件所有鎢應用，并已完成多家邏輯和存儲客戶對CVD/HAR/ALD W鎢設備的驗證，取得了客戶訂單。公司近期已規(guī)劃多款CVD和ALD設備，增加薄膜設備的覆蓋率，進一步拓展市場。公司組建的EPI設備研發(fā)團隊，通過基礎研究和采納關鍵客戶的技術反饋，已經形成自主知識產權及創(chuàng)新的預處理和外延反應腔的設計方案,目前公司EPI設備已順利進入客戶驗證階段，以滿足客戶先進制程中鍺硅外延生長工藝的電性和可靠性需求。

    MOCVD設備研發(fā)方面，Micro-LED應用的專用MOCVD設備開發(fā)順利，實驗室初步結果實現(xiàn)了優(yōu)良的波長均勻性能，已付運樣機至國內領先客戶開展生產驗證；用于碳化硅功率器件外延生產的設備正在開發(fā)中，已付運樣機至國內領先客戶開展驗證測試；下一代用于氮化鎵功率器件制造的MOCVD設備也正在按計劃順利開發(fā)中。

    2024年上半年公司共生產專用設備833腔，同比增長約420%，對應產值約68.65億元，同比增長約402%，為本年度出貨及確認收入打下了較好的基礎。本期末發(fā)出商品余額約27.66億元，較期初余額的8.68億元增長18.98億元；本期末合同負債余額約25.35億元，較期初余額的7.72億元增長約17.64億元。

    公司特別重視核心技術的創(chuàng)新。在開發(fā)、設計和制造刻蝕設備、薄膜沉積設備和MOCVD等設備的過程中，始終強調創(chuàng)新和差異化并保持高強度的研發(fā)投入。通過核心技術的創(chuàng)新，公司的產品已達到國際先進水平。

    用于藍光LED的PRISMO D-Blue®、PRISMO A7® MOCVD設備能分別實現(xiàn)單腔14片4英寸和單腔34片4英寸外延片加工能力。公司的PRISMO A7®設備已在全球氮化鎵基LED MOCVD市場中占據(jù)領先地位。

    用于制造深紫外光LED的高溫MOCVD設備PRISMO HiT3®，其反應腔最高工藝溫度可達1400度，單爐可生長18片2英寸外延晶片，并可延伸到生長4英寸晶片，已在行業(yè)領先客戶端用于深紫外LED的生產驗證并獲得重復訂單。

    用于Mini-LED生產的MOCVD設備PRISMO UniMax®，具有行業(yè)領先的高產能和高靈活性的特點，在同一系統(tǒng)中可配備多達4個反應腔，每個反應腔都可實現(xiàn)獨立控制。PRISMO UniMax®配置了785mm大直徑石墨托盤，可實現(xiàn)同時加工164片4英寸或72片6英寸外延晶片，PRISMO UniMax®已在領先客戶端開始進行規(guī)�；�生產。

    用于硅基氮化鎵功率器件用MOCVD設備PRISMO PD5®，具有高靈活性的特點，在同一系統(tǒng)中可配備多達4個反應腔，每個反應腔都可實現(xiàn)獨立控制，僅通過更換石墨托盤即可實現(xiàn)6英寸與8英寸工藝的便捷切換，PRISMO PD5®設備已在客戶生產線上驗證通過并獲得重復訂單。

    Micro-LED應用的專用MOCVD設備開發(fā)順利，實驗室初步結果實現(xiàn)了優(yōu)良的波長均勻性能，已付運樣機至國內領先客戶開展生產驗證；用于碳化硅功率器件外延生產的設備正在開發(fā)中，已付運樣機至國內領先客戶開展驗證測試；下一代用于氮化鎵功率器件制造的MOCVD設備也正在按計劃順利開發(fā)中。

    報告期內，公司用于藍光照明的PRISMO A7®、用于深紫外LED的PRISMO HiT3®、用于Mini-LED顯示的PRISMO UniMax® 等產品持續(xù)服務客戶。公司累計MOCVD產品出貨量超過500腔，持續(xù)保持國際氮化鎵基MOCVD設備市場領先地位。其中PRISMO UniMax®產品，憑借其高產量、高波長均勻性、高良率等優(yōu)點，受到下游客戶的廣泛認可，已累計出貨近150腔，在Mini-LED顯示外延片生產設備領域處于國際領先地位。PRISMO UniMax®設備拓展了公司的MOCVD設備產品線，為全球LED芯片制造商提供極具競爭力的Mini-LED量產解決方案，公司正與更多客戶合作進行設備評估，擴大市場推廣。同時，公司也緊跟市場發(fā)展趨勢，布局行業(yè)前沿，針對Micro-LED應用的專用MOCVD設備開發(fā)順利，實驗室初步結果實現(xiàn)了優(yōu)良的波長均勻性能，已付運樣機至國內領先客戶開展生產驗證。

    2024年上半年公司研發(fā)投入總額9.70億元，較上年同期增加110.84%，研發(fā)投入總額占營業(yè)收入比例為28.15%。公司目前在研項目涵蓋六類設備，包含多個關鍵制程工藝的核心設備開發(fā)。報告期內，公司新增專利申請97項，其中發(fā)明專利63項。截至2024年6月30日，公司已申請2,648項專利，其中發(fā)明專利2,224項；已獲授權專利1,670項，其中發(fā)明專利1,434項。

    公司產業(yè)化建設項目正在順利推進中。公司位于南昌的約14萬平方米的生產和研發(fā)基地已建成完工，并于2023年7月正式投入使用；公司在上海臨港的約18萬平方米的生產和研發(fā)基地主體建設已基本完成，并于2024年8月正式投入使用；上海臨港滴水湖畔約10萬平方米的總部大樓暨研發(fā)中心也在順利建設，為今后的發(fā)展夯實基礎。