在追求卓越顯示效果的今天，一位超芯星正在嶄露頭角，它就是Micro-LED“一項具有改變游戲規則潛力的顯示技術”。不僅為追求極致視覺體驗的消費者帶來了新的希望，更為行業開辟了一鏈創新與高效能結合的道路。

    什么是Micro-LED？

    Micro-LED，又稱為 mLED 或μLED，一種通過薄膜化、微小化和陣列化處理的LED結構，其尺寸大約在1-100μm之間，由微米級半導體發光單元陣列組成，是一種將電能轉化為光能的電致發光器件，可以通過巨量轉移批量地轉移到驅動電路基板上，驅動電路基板可以為硬性或柔性襯底。然后利用物理氣相沉積等方法在其上制備保護層和外接電極，最后進行封裝。其中LED是由II-VI和III-V族化合物，如GaAs( 砷化鎵 )、GaP ( 磷化鎵 )、GaAsP( 磷砷化鎵 )、GaN( 氮化鎵 ) 等半導體制成的，其核心結構是由p型半導體和n型半導體材料形成的pn結組成的。

Micro-LED的獨特優勢是？

    Micro-LED技術的核心優勢在于其卓越的性能表現，包括：

    01

    更高的亮度與對比度：Micro-LED自發光的特性，意味著您可以享受到更純粹的黑色和炫麗的亮度，讓色彩更加生動。

    02

    更低的能耗：在為您帶來明亮畫質的同時，Micro-LED的能效卓越，這對于延長移動設備電池壽命至關重要。

    03

    超快響應：想象一下，在觀看高速運動場景時無任何拖影的清晰度，這正是Micro-LED快速響應能力所能提供的。

    Micro LED產業鏈的技術瓶頸是？

    Micro LED 的工藝流程涵蓋了襯底制備、外延片與晶圓制備、像素組裝、缺陷監測、全彩化、光提取與成型、像素驅動等 7 個環節。具體來講，其產業鏈包含芯片制造、巨量轉移、面板制造、封裝/模組、應用以及相關配套產業。其中，有關檢測修復的難題，無疑是各大參與者競技的重要賽場之一。

    由于 Micro LED 的芯片尺寸和間距極其微小，傳統的測試設備難以適用。如何在數以百萬甚至千萬計的芯片中，對存在缺陷的晶粒進行檢測、修復或者替換，這是一個極為艱巨的挑戰。當下現有的解決方案包含光致發光測試和電致發光測試。光致發光測試主要借助光源來激發硅片或太陽電池片，通過對特定波長的發光信號進行采集以及數據處理，從而辨別芯片的缺陷。電致發光測試則是指，在強大電場的作用下，芯片中的電子成為過熱電子后，依據其回到基態時所發出的光來檢測芯片的缺陷。

兆馳半導體如何解決Micro-LED檢測難題？

    7 月 16 日，兆馳半導體公布“Micro-LED 檢測設備”專利已進入授權階段。該專利的詳情如下：

    本實用新型公開了一種 Micro-LED 檢測設備，其由下至上依次設置有紫外面光源、透明基板、光罩板、濾光片、CCD 檢測探頭。在透明基板上放置有待測的 Micro-LED 芯片，而光罩板上設有與待測 Micro-LED 芯片所處位置相匹配的透光孔。

    本實用新型所提供的 Micro-LED 檢測設備能夠迅速篩查出異常芯片，并予以剔除。

    兆馳半導體專注于新型顯示領域的產業共性技術和前瞻性技術的開發與轉移，力爭實現“市場導向、技術突破、產線融合”的全鏈條協同創新。

    這一專利表明，兆馳半導體將 Micro-LED 顯示技術作為主攻方向已有很長時間。根據過往的專利布局顯示，其已經構建形成了涵蓋材料外延、芯片制造、轉移集成、可靠性評估等完備的 Micro-LED 智造創新鏈。結合自身在數字智能等新型制造方面的優勢，能夠大幅度縮減研發周期、節省開發成本、提升良率和效率。

    下一步，兆馳半導體將在目前系列技術突破的基礎上，通過關鍵核心技術突破，繼續深耕并快速推動Micro-LED產業轉化，實現高水平技術領先，為Micro-LED顯示產業發展起到重要引領與示范作用，助力我國在未來顯示領域保持持續領先！