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Micro LED:MiP封裝的本質是COB的上游

來源:投影時代 更新日期:2024-06-07 作者:四季花開

    “加大MIP封裝產品的推廣力度,是目前Micro LED產品大量問世、普及的現實路徑!”面對2024年MIP封裝LED產品的更大規模涌現,以及頭部廠商的“建廠、擴產”熱情,行業人士如此定義MIP的現實意義!

    MIP技術解決Micro LED落地難題

    Micro LED被譽為未來顯示之王。其具有高性能、高可靠、低成本的潛在技術優勢。但是,實現Micro LED應用市場化,也面臨眾多技術難題:

    首先是Micro LED微芯片的制備。其中,在更小尺度上,保持極高的電量子效應是關鍵技術。不過對于LED大屏直顯、彩電顯示、車載等所需要的分辨率顆粒度而言,這一點上現有材料和工藝技術已經可以滿足規模應用的需求。例如,0202MIP芯片,作為最新一代產品已經列入量產日程。行業預計,2024年底,會有更多基于0202MIP芯片的LED大屏產品問世。

 

    其次是,Micro LED微芯片和基板電路的集成匹配問題。Micro LED的尺寸往往小于50微米,甚至在10微米以下。而傳統PCB板電路,很難有如此高精度下的“連接”性能。二者的匹配度不足。MIP封裝,通過預封裝處理扇出微芯片的連接點,讓micro級別即50微米以下的芯片,變成Mini級別即150微米以上的結構,進而實現可連接性的大幅改善。

    值得一提的是,即便采用玻璃基板新材料,解決PCB板極限線寬問題后,MIP的扇出連接的結合尺寸更大的優勢,也有利于極大提升玻璃基板上的集成效率。

    第三是,Micro LED顯示面臨巨量集成的更高難度。芯片尺寸變小、顯示PPI密度增加,從質量到數量層面,均增加了巨量轉移的難度。

    采用MIP封裝工藝可以對巨量轉移技術難度形成至少兩重改善。RGB封裝集成的MIP,可以進行一致性分揀、進行不良剔除。同時不用擔心不良剔除導致的良性像素點浪費問題——傳統的COB直接芯片集成,往往意味著如果不能修復不良點,就要整個CELL報廢。所以,一方面,對于MIP封裝過程而言,所需要的巨量轉移良率更低,即需要5個9甚至4個9的良率即可;而直接芯片CELL大規模集成則需要6個9以上的良率(可結合修復技術);另一方面,MIP封裝后,更大尺寸的燈珠部件,在終端面板集成上,可選擇的技術方案更多、技術成熟度更高,同時因為有了MIP封裝層保護,器件失效可能性更低、可維修性也更好。

    所以,MIP工藝的出現,從“理想者”角度看,是對現有巨量轉移、基板、集成工藝中的不足的妥協;但是從“漸漸發展”的角度看,則更是利用成熟技術、推動Micro LED快速落地的現實選擇,是已有技術的“平衡點、最佳結合點”。

    對于同等間距的大屏顯示而言,從Mini進化到Micro LED,至少意味著微芯片材料方面實現原來的5倍產出效率、甚至10倍產出效率。這對于LED大屏顯示產品整體成本下降、市場拓寬具有極大的意義。利用一切有利技術優勢推動Micro LED盡快普及,是行業的共識。

    MIP與COB已經“殊途同歸”

    早期市場,將MIP和COB視為競爭關系,甚至是替代性關系。這種認識將MIP的意義縮小了,也將COB的意義縮小了,更是忽視了MIP和COB之間的必然的“同歸”關系。

    首先,MIP封裝后的器件,可以用于“直接表貼”工藝。這可以更好的兼容產業鏈已有的最大終端產能,推動MIP在P1.0以上間距,尤其是為Micro LED在P2.0以上間距的應用提供了可能。這是目前MIP被最多提及的應用方向。但是,問題在于,如0202級別的MIP封裝真的適配于表貼工藝嗎?——其實,傳統表貼工藝無法高效處理這樣小同時像素密度足夠高的0202獨立器件大規模集成。

Micro LED:MiP封裝的本質是COB的上游

    第二,MIP封裝可以獲得COB的支持。一方面,MIP+表貼工藝集成的終端產品,亦可以采用封膠、注膠設計,實現更好的強度、穩定度和可靠性;另一方面,超小尺寸的MIP封裝,例如0202規格等,最合適的集成工藝依然是COB集成。即對0202MIP器件做二次芯片級集成,依然采用巨量轉移工藝和COB標準流程實現終端制造。

    第三,MIP封裝自身可視為最小的COB封裝結構,即只有一個像素、RGB三個微芯片的COB CELL。同時,隨著這種封裝工藝穩定度提升,為了提升下游集成效率,在形成標準化分辨率尺度的產品上,可以開發N in one的MIP封裝工藝,即可能含有4個像素、或者12個像素的小型COB封裝……如果巨量轉移工藝持續成熟,這種封裝規模可以更大,那就直接變成了Micro LED直接COB終端產品。

    第四,擁有COB封裝級技術的企業,利用該技術已經在全面進入MIP封裝市場。即MIP封裝器件的供應商,不僅是傳統封裝企業,也包括COB類型的LED大屏終端企業。COB封裝和MIP封裝在工藝和技術難點上高度相通,讓COB路線在過去十年的進步和積累,都能很好的在MIP時代成為“高效資產”。

    由此可見,MIP和COB的關系,遠比表面看起來不同的兩大封裝技術所表現出來的要復雜。其中最核心的是,二者的一致性、協同性,遠大于競爭性。可預見,今天LED市場中COB頭部品牌,都渴望在MIP市場上占據一席之地。甚至是依托兩大技術的互補與差異化,獲得更強的市場競爭力。

    MIP封裝技術更新進展,升級與量產同步

    MIP封裝與表貼工藝結合是基本應用模式,也是目前最常規的應用。但是,這不意味著MIP不能有更新的創新。例如,芯映光電 XT-CMB0202-T 產品既能無縫兼容COB封裝工藝——MCOB=MiP+COB的方案,是未來MIP在P1.0以下高端市場的重要技術路徑。

    同時,MIP技術也在發展“真芯”工藝,即無襯底的Micro芯片的應用。該技術讓MIP封裝可以獲得媲美倒裝COB封裝的效果,在出光均勻性、混色能力和大視角色準方面獲得極大的性能提升,且長期看更適配于P0.5以下間距指標、車載新興市場等應用需求。

Micro LED:MiP封裝的本質是COB的上游

    當然,MIP技術最關鍵的進步還是不斷突破極限。在器件上,0202被認為是關鍵目標產品,單一器件就可以適配和滿足P0.3到P1.2等主流高端間距應用需求。而進一步向0101突破,則可以實現更多在中等尺寸顯示產品上,包括20英寸以上PC顯示器、車載屏幕的基本應用。

    在Micro LED芯片上,MIP也在“更小的尺度上不斷前進”。目前,0202主要對應的是1*2mil的RGB芯片(即25*50微米),封裝體大小250*250um。這類產品對于Micro LED而言,只是入門級別的尺寸。未來如何在更小尺寸上實現更高效材料利用是重要發展方向——畢竟,Micro LED顆粒尺度縮小一半,單位的晶圓理論上就能產出4倍的像素點。

    此外,除了PCB板的MIP封裝之外,行業企業亦在研究基于玻璃基板的MIP封裝產品。玻璃基板渴望對于巨量工藝和更小尺寸的LED芯片更為友好。

    MIP技術自身持續進步,以及產業鏈上下游更多的認可和共識、更深刻的技術理解與更多的未來想象,這是MIP技術在2024年大發展的前提。據悉,全球LED智慧顯示第一的洲明科技計劃于2024年底擴產MIP產能6000KK/月,正式拉開了Micro LED大規模應用能力建設的序幕。行業預計,由2024年開始,基于MIP技術支持的Micro LED直顯大屏需求將出現爆發式增長態勢。

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