近日，長春理工大學(xué)材料科學(xué)與工程學(xué)院新型光電子器件與光源團(tuán)隊在材料領(lǐng)域頂級期刊《先進(jìn)材料》上發(fā)表題為“Phosphorescent Dye Sensitized Quantum-Dot Light-Emitting Diodes with 37% External Quantum Efficiency”的研究性文章，影響因子為29.4。

    長春理工大學(xué)為第 一通訊單位，王艷平副教授為第 一作者和第 一通訊作者，吉林大學(xué)張宇教授、云南大學(xué)趙勇彪教授為共同通訊作者。

    王艷平副教授攜手吉林大學(xué)張宇教授、云南大學(xué)趙勇彪教授，針對量子點 （QDs） 的導(dǎo)帶和價帶能級較低，QDs發(fā)光層直接獲取激子會受到較差空穴注入影響，導(dǎo)致電子—空穴注入不平衡和低輻射復(fù)合速率這一難題聯(lián)合開展攻關(guān)研究，提出了以TFB: Ir（MDQ）2（acac）同時作為空穴傳輸層和激子收集器的簡單且有效策略，開展了紅光QLEDs研究。優(yōu)化后的Ir（MDQ）2（acac）摻雜濃度為10 wt%，相應(yīng)紅光器件的最大外量子效率 （EQE）高達(dá)37%，這是目前非疊層結(jié)構(gòu)紅光器件EQE的新紀(jì)錄。

    為了探究器件的工作機理，研究團(tuán)隊分別從光物理、載流子轉(zhuǎn)移動力學(xué)、薄膜形貌、能級分布以及單載流子器件的載流子輸運特性等角度詳細(xì)分析了器件的工作機理，揭示了Ir（MDQ）2（acac）與QDs之間高效的能量傳遞機制，即Ir（MDQ）2（acac）捕獲來自相鄰QDs發(fā)光層泄漏的電子并與其自身傳輸?shù)目昭ㄐ纬杉ぷ樱�收集的激子通過Firster共振能量轉(zhuǎn)移 （FRET） 機制轉(zhuǎn)移給QDs，從而提高了器件性能。

    此次在量子點發(fā)光二極管 （QLEDs） 研究方面取得新突破，為實現(xiàn)高效率和良好穩(wěn)定性的QLEDs提供了一種新的實用方法，得到了吉林省科技廳自然科學(xué)基金面上項目、重慶市科技局自然科學(xué)基金面上項目的支持。