近日，主動矩陣式Micro LED顯示器廠商JBD宣布與劍橋大學附屬公司、GaN Micro LED材料開發商Porotech達成合作。

    Porotech擁有獨家多孔GaN半導體材料，并在此基礎上，開發了天然紅InGaN Micro LED外延片，有效改善了Micro LED亮度和效率等方面的性能，能夠滿足Micro LED產品的量產需求，也可根據個體用戶需求定制化。本次合作，Porotech將向JBD供應多孔GaN半導體材料。

    Porotech認為，采用GaN材料的Micro LED被廣泛認為是唯一能夠滿足AR/VR等可穿戴設備高亮度及高效率需求的技術。而JBD認可了Porotech這一技術突破的巨大潛力，將依托這項技術開發InGaN紅色Micro LED顯示器，瞄準AR/VR耳機、AR智能運動護目鏡及頭戴式顯示器等應用。