夏普IGZO技術 創造嶄新未來   

氧化物半導體『IGZO』」榮獲日本CEATEC AWARD 2012經濟產業大臣獎

    以智能創新為主題的“2012年日本電子高新技術博覽會”簡稱CEATEC，于10月2日、在日本千葉縣、幕張國際會展中心隆重舉行。夏普公司名為“氧化物半導體—IGZO帶給我們的未來”的展出，被授予“CEATEC AWARD 2012”經濟產業大臣獎。（Indium Gallium Zinc Oxide為氧化銦鎵鋅的縮寫，簡稱IGZO）

    “CEATEC AWARD 2012”旨在促進IT與電子產業的發展，拓展新的市場需求，同時以“智能創新——創造豐富的生活和社會”為主題，從參展品中評選出最優秀的技術和產品，授予其總務大臣獎和經濟產業大臣獎。

夏普水嶼副社長從經濟產業省商務情報政策局評委主席今林先生手中接過獎杯

    夏普“IGZO”技術，實現了薄膜晶體管向高性能及小型化應用方面又邁進了一大步。預計該新技術會于不久的將來，在全球市場上得到廣泛推廣與應用，為需求量日益增大的智能手機等移動終端、高性能筆記本電腦以及液晶顯示器等設備提供更加理想的技術支持。通過本次夏普“IGZO”技術的獲獎不難看出，其在新產品的開發中所擁有的重要地位以及巨大的市場潛力。

    “IGZO”技術是夏普公司在世界上率先成功實現量產、完全依靠人類現有技術創造出的透明化合物半導體。它是一種由銦（In）、鎵（Ga）、鋅（Zn）、氧（O）四種元素構成、具有獨特性質的人造物質。它將

    以往半導體無法達成的功能變為可能，并蘊含著讓未來生活發生劃時代巨變的潛能與資質，因此它的出現可被視作為一項具有革命性的技術創新。同時，其用途涉及多個行業及領域，有極高的科技價值與商業價值。

    夏普“IGZO”這項新技術可使相當于以往非晶體半導體20-50倍的電流流入，并由此使液晶技術得以更進一步的提高。搭載夏普“IGZO”技術的液晶顯示屏，在高電子遷移率依托下（電子遷移率是表示在固體材料中電子運動速度快慢的量度），成功締造出了超小型化、超細線化的新型薄膜晶體管。此外，該技術還能提高每一像素的透過量；在透過率同等的情況下，精細度可提高到原來的2倍左右。

    夏普“IGZO”技術最大的優勢就是實現了顯示器的低能耗。之前的顯示器即便在顯示靜態畫面時，也需要進行數據改寫，而夏普“IGZO”技術即便在電流呈切斷狀態下，依舊能在一定時間內保持圖像而不對數據進行修改，因此顯示屏的能耗將減至原來的1/5-1/10。這對需要長時間使用但又苦于能耗過大的顯示器來說，可謂是提供革命性的技術支持。

    除液晶顯示屏外，在不久的將來，夏普“IGZO”技術還將衍生出更多具有格式功能的特色產品。例如將IGZO用于大面積傳感器，使其配合人體動作顯示出所需信息，并實現對其操控，或是用它制造具備視、聽、味、嗅、觸五種感官的傳感器及制造光學計算機的核心等等。擁有巨大潛力的夏普“IGZO”技術，將會不斷地創造出新的奇跡。

    當然，不僅是“IGZO”技術，長久以來夏普的創新技術一直伴隨著我們發展至今，未來夏普還將引導人們的生活向更新、更舒適、更豐富邁進。

    IGZO技術詳細情況，請參考夏普官方網站  http://www.sharp.co.jp/igzo/