TI從1987年開始開發DLP MEMS產品,于1994年正式推出,而產品于市場的增長速率亦逐漸擴大。去年十二月TI宣布其發運數量達到500萬套,高出2004年四月的300萬套,到今天為止,發運量相信將接近1000萬套。
TI主要針對四類市場:背投電視,以及家用、商用和電影院前投影儀。我們分析的DLP系統來自戴爾的2300MP投影儀,另外還帶有DAD1000和DDP2000控制ASIC。
DLP中的MEMS部分實際上是S1076-7402 XGA數字微鏡器件(DMD),這是一種對角尺寸為0.7英寸的"空間光學調節器",采用了1024×768鋁合金微鏡數組,在5-晶體管SRAM驅動單元上制造。這些鏡分為48組,每組都有48行1024個微鏡單元。
驅動電路采用~0.6 μm CMOS工藝制造,利用P-/P+外延基底,很遺憾那里太小我們不能進行觀察。原始晶圓由TI或者DongbuAnam制造,據報導是在Amkor進行的封裝。
該器件封裝在一個牢固的密封玻璃/金屬/陶瓷組裝件中(這使我頭腦中閃現出磚墻屋子的形狀),最后還有一個堅固的散熱片和內部吸氣條(見圖1)。在玻璃里面有一個長方形窗口使得光線只能通向微鏡數組,另外在基底還有159個鍍金的接觸點。
圖1 |
圖2是從封裝中取出的裸片的照片,該器件使用了五個金屬層,三個用于CMOS電路,兩個用于MEMS上層部分。裸片邊緣的紫色部分是第三金屬層(M3),上面覆蓋有一層薄的氧化物,經過調整使其盡量不反射光線,該層用于遮擋地址線路。我們的照片是將多個圖像組合在一起而得到的拼接效果圖。
圖2 |
圖3顯示了微鏡數組的一角,每個鏡12.7 μm見方,間距為13.7 μm。每個鏡中央的暗點是支撐點,連在下面扭動的轉動點上。圖4是M5上微鏡的SEM圖像,其中有兩個鏡被拿掉了。
圖3 |
圖4 |
仔細觀察M4微鏡下面的金屬(圖5),可以發現扭動的轉動點呈對角排列,轉動點支撐每個像素的右上角和左下角,并從下面連到M3。第三金屬層的線從像素的左手和右手邊連接到相鄰像素上,使每行微鏡發生偏轉。微鏡地址電路在轉動點的任一邊,同樣連到M3上。
圖5 |
M4轉動層和M5微鏡層都是在犧牲氧化層上通過沉積工藝完成,這在SEM圖片上并不明顯,但是數組中的M3也覆蓋了同樣一層薄的氧化物作為外圍金屬,這種“暗金屬”可用來防止當微鏡關閉時偏光照射到屏幕上。據說這樣可將對比度從800:1提高到超過1500:1。
微鏡電路連接到每個微鏡下面的SRAM單元轉換開關輸出端(見圖6)。偏轉微鏡需要12V以上的電壓,所以SRAM單元里7.5V CMOS晶體管是不夠的,為了解決這個問題,在微鏡偏置總線上施加了一個較大的偏置電壓(高達28V)。這個電壓加上微鏡地址電路偏壓,可以提供偏轉微鏡所需的靜電作用力。微鏡達到鎖定位置后,可用反向微鏡偏壓使其得到釋放。
圖6 |
微鏡的鎖存與解鎖通過二進制數完成,每個像素的灰度級則由微鏡的占空系數決定,微鏡鎖存到投影位置次數所占百分比越高,亮度就越大。微鏡的投影光路和黑暗光路角度傾斜相差12o。
在圖7中我們可以看到DLP結構的截面圖,上面顯示了三個常規CMOS金屬層,以及薄的(70nm)M4扭轉層和M5微鏡層。鋁合金微鏡經過優化,反射率約有90%,扭轉金屬是Al/Ti合金,應該具有很好的扭矩和可靠性能。M5與轉動點金屬連接的一面明顯很薄,另外我們還可以看到M4通孔深深蝕入到了M3中。
圖7 |
圖8是微鏡/轉動接點TEM放大圖,我們可以清楚地看見轉動點非常薄,但即使這樣TI仍聲稱其具有很高的可靠性。可以看出TI在這幾年里對其結構進行了簡化,我們的芯片顯示微鏡直接連在轉動點,而TI公布的數據顯示微鏡是連在一個連接套上,再連到一對轉動點(見圖9)。這種簡化極有可能使得傾斜角從10o升高到12o,從而提高了光學效率。
圖8 |
圖9 |
顯然,DMD是MEMS技術一項非常有意義的應用,其數字驅動系統開關轉換速度比其他LCD技術要高幾個數量級,同時光學效率、對比度以及可靠性都要優于等離子和LCD顯示技術。因此,TI稱目前在投影儀市場擁有近50%的份額。
作者簡介:
Dick James目前是Chipworks公司資深技術分析師。他于Salford大學畢業并獲得應用化學學士學位,之后又在英格蘭南安普頓大學獲得微電子與半導體器件碩士學位。他在半導體器件工藝開發、設計、制造、封裝以及反向還原工程方面擁有超過30年寶貴經驗。
作者:Dick James,Chipworks技術分析師