在法國里昂舉辦的“Transducers’07”上，歐姆龍公布了計劃投產的硅麥克風。在不斷有新廠商涉足該領域、成本競爭日趨激烈的情況下，該公司同時實現了傳感器的小型化和高性能。

　　麥克風的傳感器部位的面積為1.2mm×1.3mm。此時的靈敏度方面，頻率為1kHz時靈敏度為-41dBV。在100Hz～10kHz的頻率下，能夠實現平穩的響應性。在薄膜構成的電容器上帶有靜電，偏壓為12V。

　　實現小型化的關鍵是蝕刻技術。一般來說，硅麥克風上傳感器部位的硅薄膜背面需要一塊讓聲音發生共鳴的空間，這就需要通過蝕刻來實現。這一方法原來主要分為2種。即濕蝕刻和干蝕刻。濕蝕刻方面，根據接觸蝕刻液的時間來剝離硅。斷面形狀為硅薄膜一側邊長較短的梯形（請參考圖片）。而干蝕刻方面，通過延垂直方向向硅底板照射等離子進行幾乎垂直的剝離。在相同的芯片面積下，干蝕刻能夠擴大硅薄膜背面的空間。

　　與此相對，此次將濕蝕刻法分2個階段進行，與原有的干蝕刻法相比能夠進一步擴大空間（請參考圖片）。斷面形狀變成了菱形。首先通過濕蝕刻法剝離成梯形。其次，對制成硅薄膜時形成的犧牲層多晶硅進行蝕刻。最后，在露出的硅面上通過各向同性蝕刻法進行剝離。